feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFD4C20N: Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 27 A, Dual N-Channel SO8FL

Overview
Specifications
Datasheet: Dual N-Channel Power MOSFET
Rev. 3 (160kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 27 A, Dual N-Channel SO8FL
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (1) Демонстрационные платы - справочники (8)
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
DUALASYMA5VGEVB Active
Pb-free
Single Phase Buck Converter Dual Asymmetrical AG Evaluation Board
DUALASYMB12VGEVB Active
Pb-free
Single Phase Buck Converter Dual Asymmetrical BG Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 1
Avnet (2015-07-09) : 2
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFD4C20NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 27 A, Dual N-Channel SO8FL, Dual N-Channel Power SO-8FL Dual / DFN-8 506BX 1 Tape and Reel 1500 $0.4667
NTMFD4C20NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 27 A, Dual N-Channel SO8FL, Dual N-Channel Power SO-8FL Dual / DFN-8 506BX 1 Tape and Reel 5000 $0.4667
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 13 to 16
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : 13 to 16
Datasheet: Dual N-Channel Power MOSFET
Rev. 3 (160kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 27 A, Dual N-Channel SO8FL, Dual N-Channel Power   N-Channel   Dual   30   20   2.1   27   1.97     5.2   3.4   9.3   19   4.2   10   970   430   125   SO-8FL Dual / DFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30 V, High Side 18 A / Low Side 27 A, Dual N-Channel SO8FL, Dual N-Channel Power   N-Channel   Dual   30   20   2.1   27   1.97     5.2   3.4   9.3   19   4.2   10   970   430   125   SO-8FL Dual / DFN-8 
Datasheet: Dual N-Channel Power MOSFET
Rev. 3 (160kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Case Outlines
506BX   
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies