feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFS4845: Power MOSFET 30V 115A 2.9 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 115 A, Single N-Channel
Rev. 3 (111.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 30 V, 115 A, Single N-Channel, SO-8 FL
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Losses
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize Conduction Losses
  • Optimized Gate Charge
 
  • Minimize Switching Losses
  • Thermally Enhanced SO-8 Package
 
  • Efficient Thermal transfer
  • Pb-Free Device
 
  • Environmentally Friendly
Применения   End Products
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Converters
  • Low Side Switching
  • Servers/Workstations
  • Refer to Application Note AND8195/D
 
  • Notebook Computers
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (2) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFS4845NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 115A 2.9 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.4493
NTMFS4845NT3G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 115A 2.9 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Arrow   (Sat Jul 11 07:27:52 MST 2015) : 1500
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 115 A, Single N-Channel
Rev. 3 (111.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 115A 2.9 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   16   2.5   115   62.5     4.4   2.9   25.6     8.6   9   3720   650   335   SO-8FL / DFN-5 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies