feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFS4846: Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 100 A, Single N-Channel
Rev. 6 (114kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 30 V, 100 A, Single N-Channel, SO-8 FL
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize Conduction Losses
  • Optimized Gate Charge
 
  • Minimize Switching Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Losses
  • Thermally Enhanced S08FL Package
 
  • Efficient Thermal Transfer Characteristics
  • Pb-Free Device
 
  • Environmentally Friendly
Применения   End Products
  • CPU Power Delivery
  • DC-DC Converters
  • Low Side Switching
  • Refer to Application Note AND8195/D
 
  • Servers
  • Notebook Computers
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (2) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFS4846NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.3533
NTMFS4846NT3G Last Shipments 
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 100 A, Single N-Channel
Rev. 6 (114kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (7)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   ±20   2.5   100   55.5     5.1   3.4   21.8     7.4   8.5   3250   562   289   SO-8FL / DFN-5 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available