feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFS4852N: Power MOSFET 30V 155A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Datasheet: NTMFS4852N
Rev. 1 (137.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview
Описание продукта
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimizes conduction losses
  • Low capacitance
 
  • Minimizes driver losses
  • Optimized gate charge
 
  • Minimizes switching losses
Применения
  • CPU power delivery
  • DC-DC converters
  • Low-side switching
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (2) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFS4852NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 155A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.5733
NTMFS4852NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 155A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.5733
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : <1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: NTMFS4852N
Rev. 1 (137.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 155A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.5   155   86.2     3.3   2.1   34.3   71.3   11.3   28.6   4970   970   427   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 155A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.5   155   86.2     3.3   2.1   34.3   71.3   11.3   28.6   4970   970   427   SO-8FL / DFN-5 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available