feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFS4936N: Power MOSFET 30V 79A 3.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 79 A, Single N-Channel
Rev. 9 (116.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview
Описание продукта
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on) Low Capacitance and Optimized Gate Charge to Minimize Conduction, Driver and Switching Losses
 
  • Improve System Efficiency and Switching Performance
  • These are PbFree Devices
 
  • RoHs Compliance
Применения   End Products
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
 
  • Notebook, Desktop, Server, Game Consoles, Point of Load, other Computing Products
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (2) Спецификацие (1)
Статьи по применению (3) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4) Демонстрационные платы - справочники (9)
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Avnet (2015-07-09) : 2
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFS4936NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 79A 3.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.288
NTMFS4936NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 79A 3.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.288
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
PandS   (2015-07-09) : <100
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 79 A, Single N-Channel
Rev. 9 (116.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 79A 3.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   79   43     4.8   3.8   19     2.4   36   3044   1014   39   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 79A 3.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   79   43     4.8   3.8   19     2.4   36   3044   1014   39   SO-8FL / DFN-5 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies