feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFS4985NF: Power MOSFET 30V 65A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 65 A, Single N-Channel
Rev. 2 (114.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
NTMFS4985NF
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (2) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4) Демонстрационные платы - справочники (9)
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Avnet (2015-07-09) : 2
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFS4985NFT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 65A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.5333
NTMFS4985NFT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 65A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.5333
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : <1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 65 A, Single N-Channel
Rev. 2 (114.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 65A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky   N-Channel   with Schottky Diode   30   20   2.3   65   22.73     5   3.4   14.2   30.5   4.2   32   2100   900   60   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 65A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky   N-Channel   with Schottky Diode   30   20   2.3   65   22.73     5   3.4   14.2   30.5   4.2   32   2100   900   60   SO-8FL / DFN-5 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available