feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFS4C06N: Power MOSFET 30V 69A 4 mOhm Single N-Channel S0-8FL

Overview
Specifications
Datasheet: 30 V, 69 A, Single N-Channel, SO-8 FL Power MOSFET
Rev. 7 (97kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview
Описание продукта
NTMFS4C06N
Отличительные черты
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These Devices are PbFree and are RoHS Compliant
Применения
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (2) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4) Демонстрационные платы - справочники (9)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFS4C06NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 69A 4 mOhm Single N-Channel S0-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.248
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: 30 V, 69 A, Single N-Channel, SO-8 FL Power MOSFET
Rev. 7 (97kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 69A 4 mOhm Single N-Channel S0-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.1   69   30.5     6   4     26   4   22   1683   841   40   SO-8FL / DFN-5 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies