feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFS4C08N: Power MOSFET 30V 52A 5.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Datasheet: 30 V, 52 A, Single N-Channel, SO-8 FL Power MOSFET
Rev. 5 (95kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview
Описание продукта
NTMFS4C08N
Отличительные черты
 
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
    Compliant
Применения
  • CPU Power Delivery
  • DCDC Converters
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (2) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4) Демонстрационные платы - справочники (9)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFS4C08NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 52A 5.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.232
NTMFS4C08NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 52A 5.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.232
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: 30 V, 52 A, Single N-Channel, SO-8 FL Power MOSFET
Rev. 5 (95kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 52A 5.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.1   52   25.5     8.5   5.8     18.2   3.3   15.3   1113   702   39   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 52A 5.8 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.1   52   25.5     8.5   5.8     18.2   3.3   15.3   1113   702   39   SO-8FL / DFN-5 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available