feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFS4C35N: Power MOSFET 30V 80A 3.2 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET 30 V, 80 A, 3.2mOhm Single N-Channel, SO-8 FL
Rev. 1 (122kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (2)
Product Overview
Описание продукта
30 V, 80 A, Single N-Channel, SO-8 FL
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
 
  • Improve System Efficiency
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
 
  • Improve System Efficiency
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
 
  • Improve Signal Quality
  • These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
    Compliant
   
Применения   End Products
  • CPU Power Delivery, DCDC Converters
 
  • Notebook, Desktop, Server, Game Consoles, Point of Load and other Computing Products
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFS4C35NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 80A 3.2 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.2933
NTMFS4C35NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 80A 3.2 mOhm Single N-Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.2933
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET 30 V, 80 A, 3.2mOhm Single N-Channel, SO-8 FL
Rev. 1 (122kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 80A 3.2 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   80   33     4.2   3.2   15   32.5   5.5   30   2300   1097   46   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 80A 3.2 mOhm Single N-Channel SO-8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   80   33     4.2   3.2   15   32.5   5.5   30   2300   1097   46   SO-8FL / DFN-5 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies