feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFS4H02NF: Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 25 V, 193 A, SO-8FL
Rev. 3 (91kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky
Отличительные черты   Benefits
     
  • Integrated Schottky Diode
 
  • Higher efficiency
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low input capacitance
 
  • Minimize switching losses
Применения   End Products
  • High Performance DC-DC Converters
  • Point of Load
 
  • Netcom, Telecom
  • Server
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4) Демонстрационные платы - справочники (5)
Спецификацие (1)  
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
25VT6A5VGEVB Intro Pending
Pb-free
T6 25V Power MOSFET Evaluation Board
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFS4H02NFT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $1.45
NTMFS4H02NFT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $1.45
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 25 V, 193 A, SO-8FL
Rev. 3 (91kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky   N-Channel   with Schottky Diode   25   20   2.1   193   83     2.3   1.4   18.7     4.3     2652   1644   94   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 25V 193A 1.4 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky   N-Channel   with Schottky Diode   25   20   2.1   193   83     2.3   1.4   18.7     4.3     2652   1644   94   SO-8FL / DFN-5 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies