feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMFS6B14N: Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 100 V, 15 mOhm, 50 A
Rev. 1 (76kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low input capacitance
 
  • Minimize switching losses
Применения   End Products
  • Point of load modules
 
  • Netcom, Telecom
  • Servers
Технические информацие
Спецификацие (1) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMFS6B14NT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $0.6855
NTMFS6B14NT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.6855
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, Single N-Channel, 100 V, 15 mOhm, 50 A
Rev. 1 (76kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL   N-Channel   Single   100   ±20   4   50   77       15     20     50   1300   260   18   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 100V 50A 14mΩ Single N−Channel SO-8FL   N-Channel   Single   100   ±20   4   50   77       15     20     50   1300   260   18   SO-8FL / DFN-5 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies