feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTMS4816N: Power MOSFET 30V 11A 10mOhm Single N-Channel SO-8

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 11 A, N-Channel
Rev. 2 (109.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview
Описание продукта
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
Отличительные черты
 
  • Low Capacitance to Minimize Driver Losses
  • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
  • This is a Pb-Free Device
  • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Применения
  • Disk Drives
  • DC-DC Converters
  • Printers
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTMS4816NR2G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 11A 10mOhm Single N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500 $0.2133
NVMS4816NR2G Last Shipments
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 11A 10mOhm Single N-Channel SO-8 SOIC-8 751-07 1 Tape and Reel 2500  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 11 A, N-Channel
Rev. 2 (109.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (4)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 11A 10mOhm Single N-Channel SO-8   N-Channel   Single   30   20   3   11   2.04     16   10   9.2   18.3   3.8   9   1060   220   126   SOIC-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies