feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTP5860N: Power MOSFET 60V 169A 3.0 mOhm Single N-Channel TO-220

Overview
Specifications
Datasheet: 60 V, 3 mOhm, 220 A, N-Channel, D2PAK Power MOSFET
Rev. 2 (118.0kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
60 V, 3 mOhm, 220 A, N-Channel, D2PAK Power MOSFET
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on)
 
  • Low conduction losses
  • AEC-Q101 qualified
 
  • Suitable for automotive applications
  • High current capability
 
  • Good for high power applications
  • PbFree, Halogen Free
 
  • RoHS compliant
Применения   End Products
  • Motor Control
  • Battery Protection
  • Load Switch
 
  • Chassis Module
Технические информацие
Статьи по применению (1) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTP5860NG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V 169A 3.0 mOhm Single N-Channel TO-220, G TO-220 FULLPAK-3 221D-03 NA Tube 50 $1.152
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : <1K
Datasheet: 60 V, 3 mOhm, 220 A, N-Channel, D2PAK Power MOSFET
Rev. 2 (118.0kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 60V 169A 3.0 mOhm Single N-Channel TO-220, G   N-Channel   Single   60   20   4   169   167       3     180   57   76   10760   1125   700   TO-220 FULLPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available