feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTR2101P: Small Signal MOSFET -8V -3.7A 52 mOhm Single P-Channel SOT-23

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Small Signal MOSFET -8 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23
Rev. 6 (111.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (8)
Product Overview
Описание продукта
This is an 8.0 V P-Channel Power MOSFET.
Отличительные черты
 
  • Leading Trench Technology for Low RDS(on)
  • -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive
  • SOT-23 Surface Mount for Small Footprint (3x3mm)
  • Pb-Free Package is Available
Применения
  • High Side Load Switch
  • DC-DC Conversion
  • Cell Phone, Notebook, PDAs, ect.
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTR2101PT1G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET -8V -3.7A 52 mOhm Single P-Channel SOT-23 SOT-23-3 318-08 1 Tape and Reel 3000 $0.1191
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >10K
Digikey   (2015-07-09) : >50K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >100K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Wpi   (2015-07-09) : >10K
Datasheet: Small Signal MOSFET -8 V, -3.7 A, Single P-Channel, SOT-23
Rev. 6 (111.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (8)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET -8V -3.7A 52 mOhm Single P-Channel SOT-23   P-Channel   Single   8   8   1   3.7   0.96   72   52     12     2.5     1173   289   218   SOT-23-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies