feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTS2101P: Small Signal MOSFET -8V -1.4A 100 mOhm Single P-Channel SC-70

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Small Signal MOSFET -8 V, -1.4 A, Single P Channel SC-70
Rev. 1 (61.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview
Описание продукта
This is an 8.0 V P-Channel Power MOSFET.
Отличительные черты
 
  • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
  • -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive
  • SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)
  • Pb-Free Package is Available
Применения
  • High Side Load Switch
  • Charging Circuit
  • Single Cell Battery Application Applications such as Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, etc.
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTS2101PT1G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET -8V -1.4A 100 mOhm Single P-Channel SC-70 SC-70-3 / SOT-323-3 419-04 1 Tape and Reel 3000 $0.0816
NTS2101PT1 Obsolete
Small Signal MOSFET -8V -1.4A 100 mOhm Single P-Channel SC-70 SC-70-3 / SOT-323-3 419-04 1 Tape and Reel 3000  
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >10K
FutureElectronics   (2015-07-09) : >100K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Small Signal MOSFET -8 V, -1.4 A, Single P Channel SC-70
Rev. 1 (61.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET -8V -1.4A 100 mOhm Single P-Channel SC-70   P-Channel   Single   8   8   0.7   1.4   0.29   140   100   210   6.4     1.5   9.5   640   120   82   SC-70-3 / SOT-323-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available