feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTTFS3A08PZ: Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, -20 V, -14 A, Single P CH, ESD, 3.3x3.3x0.8 mm, u8FL Package
Rev. 2 (121.0kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET, -20 V, -14 A, Single P CH, ESD, 3.3x3.3x0.8 mm, u8FL Package
Отличительные черты   Benefits
     
  • Ultra Low RDS(on)
 
  • Minimize Conduction Losses
  • u8FL 3.3 x 3.3 x 0.8 mm Package
 
  • Space Saving and Excellent Thermal
    Conduction
  • PbFree, Halogen Free/BFR Free
 
  • RoHS Compliant
  • ESD Protection Level of 5 KV per JESD22A114
   
Применения   End Products
  • Battery Switch
  • High Side Load Switch
  • Optimized for Power Management Applications for Portable Products
 
  • Media Tablets, Ultrabook PCs, and Smartphones
Технические информацие
Спецификацие (1) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTTFS3A08PZTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.4667
NTTFS3A08PZTWG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 5000 $0.4667
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, -20 V, -14 A, Single P CH, ESD, 3.3x3.3x0.8 mm, u8FL Package
Rev. 2 (121.0kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection   P-Channel   Single   20   8   1   14   4.5   9   6.7     54     14   234   5000   600   500   u8FL / WDFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection   P-Channel   Single   20   8   1   14   4.5   9   6.7     54     14   234   5000   600   500   u8FL / WDFN-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies