feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTTFS4930N: Power MOSFET 30V 23A 23 mOhm Single N-Channel u8FL

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 23 A, Single N-Channel
Rev. 2 (120.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 30V 23A 23 mOhm Single N-Channel u8FL
Отличительные черты   Benefits
     
  • Optimized Qg and Rg
 
  • Improve Signal Quality and Minimize Switching Losses
  • Low Capacitance
 
  • Minimize Driver Loss
  • Low RDS(on)
 
  • Improve Efficiency
  • PbFree, Halogen Free/BFR Free
 
  • RoHS Compliant
Применения   End Products
  • DCDC Converters, Power Load Switch, Notebook Battery Management
 
  • Notebook PC, Desktop PC, Server,Game Console, Netcom, Point of Load Module
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Типы корпусов (1)
Статьи по применению (2) Демонстрационные платы - справочники (9)
Спецификацие (1)  
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Avnet (2015-07-09) : 2
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTTFS4930NTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 23A 23 mOhm Single N-Channel u8FL u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.2133
NTTFS4930NTWG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 23A 23 mOhm Single N-Channel u8FL u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 5000 $0.2133
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 23 A, Single N-Channel
Rev. 2 (120.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 23A 23 mOhm Single N-Channel u8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   23   20.2     30   23   5.5   9.8   3.1   4.6   476   197   101   u8FL / WDFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 23A 23 mOhm Single N-Channel u8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   23   20.2     30   23   5.5   9.8   3.1   4.6   476   197   101   u8FL / WDFN-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available