feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTTFS4939N: Power MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Channel u8FL

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: 30V, Single N-Channel, u8FL
Rev. 3 (115.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview
Описание продукта
This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low capacitance
 
  • Minimize driver losses
  • Optimized gate charge
 
  • Minimize switching loss
  • Pb-Free and Halogen Free
 
  • RoHS compliant
Применения   End Products
  • Low Side DC-DC Converter, Power Load Switch, Notebook Battery Management, Motor Control
 
  • PC (Notebook/Netbook, Desktop), Server, Graphic Cards, Game Consoles, Printer, HDD, and other computing and consumer products
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (2) Спецификацие (1)
Статьи по применению (2) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4) Демонстрационные платы - справочники (9)
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Avnet (2015-07-09) : 2
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTTFS4939NTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Channel u8FL u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.68
NTTFS4939NTWG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Channel u8FL u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 5000 $0.68
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Mouser   (2015-07-09) : >1K
PandS   (2015-07-09) : <1K
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: 30V, Single N-Channel, u8FL
Rev. 3 (115.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (5)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Channel u8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   52   29.8     8   5.5   12.4   28   1.8   35.5   1979   711   20.2   u8FL / WDFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Channel u8FL   N-Channel   Single   30   20   2.2   52   29.8     8   5.5   12.4   28   1.8   35.5   1979   711   20.2   u8FL / WDFN-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies