feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTTFS4985NF: Power MOSFET 30V 64A 3.5 mOhm Single N-Channel u8FL FETky

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 64 A, Single N-Channel
Rev. 2 (84kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 30V 64A 3.5 mOhm Single N-Channel u8FL FETky
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (2) Спецификацие (1)
Статьи по применению (1) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4) Демонстрационные платы - справочники (9)
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Avnet (2015-07-09) : 2
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTTFS4985NFTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 64A 3.5 mOhm Single N-Channel u8FL FETky u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.5287
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Digikey   (2015-07-09) : <1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 64 A, Single N-Channel
Rev. 2 (84kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 64A 3.5 mOhm Single N-Channel u8FL FETky   N-Channel   with Schottky Diode   30   20   2.3   64   22.73     5.2   3.5   13.6   29.4   4.1   32   2075   876   46   u8FL / WDFN-8 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies