feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTTFS4H07N: Power MOSFET 25V 66A 4.8 mOhm Single N−Channel u8FL

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 2 (84kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
Power MOSFET 25V 66A 4.8 mOhm Single N−Channel u8FL
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low Input capacitance
 
  • Minimize switching losses
Применения   End Products
  • High Performance DC-DC Converters
  • Point of Load
 
  • Netcom, Telecom
  • Server
Технические информацие
Программно-инструментальные средства разработки (1) Типы корпусов (1)
Модели - Симуляция (4) Демонстрационные платы - справочники (5)
Спецификацие (1)  
Информация по демонстрационной плате
Продукт Состояние Compliance Короткое описание Поступок
25VT6A5VGEVB Intro Pending
Pb-free
T6 25V Power MOSFET Evaluation Board
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTTFS4H07NTAG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 66A 4.8 mOhm Single N−Channel u8FL u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.5
NTTFS4H07NTWG Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 66A 4.8 mOhm Single N−Channel u8FL u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 5000 $0.5
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Market Leadtime (weeks) : 13 to 16
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 2 (84kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 25V 66A 4.8 mOhm Single N−Channel u8FL   N-Channel   Single   25   20   2.1   66   33.8     7.1   4.8   5.7     1.26     771   525   34   u8FL / WDFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 25V 66A 4.8 mOhm Single N−Channel u8FL   N-Channel   Single   25   20   2.1   66   33.8     7.1   4.8   5.7     1.26     771   525   34   u8FL / WDFN-8 
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 2 (84kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Case Outlines
511AB   
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available