feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NTZD3152P: Small Signal MOSFET -20V -430mA 900 mOhm Dual P-Channel SOT-563 with ESD Protection

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Small Signal MOSFET -20 V, -430 mA, Dual P-Channel with ESD Protection, SOT-563
Rev. 3 (97.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview
Описание продукта
This is a 20 V P-Channel Power MOSFET.
Отличительные черты
 
  • Low RDS(on) Improving System Efficiency
  • Low Threshold Voltage
  • ESD Protected Gate
  • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
Применения
  • Load/Power Switches
  • Power Supply Converter Circuits
  • Battery Management
  • Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, ect.
  • These are Pb-Free Devices
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NTZD3152PT1G Active
Pb-free
Halide free
Small Signal MOSFET -20V -430mA 900 mOhm Dual P-Channel SOT-563 with ESD Protection SOT-563 463A-01 1 Tape and Reel 4000 $0.08
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 2 to 4
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Digikey   (2015-07-09) : >1K
Mouser   (2015-07-09) : >10K
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Small Signal MOSFET -20 V, -430 mA, Dual P-Channel with ESD Protection, SOT-563
Rev. 3 (97.0kB)
»Показать данные по надёжности
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (9)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Small Signal MOSFET -20V -430mA 900 mOhm Dual P-Channel SOT-563 with ESD Protection   P-Channel   Dual   20   6   1   0.43   0.28   1200   900     1.7     0.4     105   15   10   SOT-563 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies