feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NVD5803N: Power MOSFET 40V, 85A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK.

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Data Sheet
Rev. 0 (100.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview
Описание продукта
Automotive Power MOSFET. 40V, 85A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low on-resistance
 
  • Minimal conduction losses
  • High current capability
 
  • Robust load performance
  • 100% avalanche energy tested
 
  • Voltage overstress safeguard
Применения   End Products
  • Low Side Driver
  • High Side Driver
  • Motor drive
 
  • Automotive powertrain
  • Automotive HVAC motors
  • ABS pressure pumps
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NVD5803NT4G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V, 85A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK. DPAK-3 369AA 1 Tape and Reel 2500 $0.4635
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
PandS   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Data Sheet
Rev. 0 (100.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (3)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V, 85A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK.   N-Channel   Single   40   20   3.5   85   83       5.7     51   12.7   17   3220   390   270   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available