feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NVD5862N: Power MOSFET 60V, 98A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK.

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Single N−Channel Power MOSFET, 60 V, 5.7 mOhm, 98 A
Rev. 2 (74kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (2)
Product Overview
Описание продукта
Automotive Power MOSFET. 60V, 98A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low on resistance
 
  • Provides low conduction losses
  • High current capability
 
  • Provides robust load performance
  • 100% Avalanche energy tested
 
  • Safeguards against voltage overstress
Применения   End Products
  • Auotmotive Motor Drivers
  • Automotive Low and High Side Drivers
 
  • Automotive HVAC systems
  • Automotive Braking systems
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NVD5862NT4G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V, 98A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK. DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500 $0.5359
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : Contact Factory
Datasheet: Single N−Channel Power MOSFET, 60 V, 5.7 mOhm, 98 A
Rev. 2 (74kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 60V, 98A, 5.7 mOhm, Single N-Channel, DPAK.   N-Channel   Single   60   20   4   98   115       5.7     82   27   40   5050   500   300   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies