feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NVD5890N: Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK.

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: NVD5890N Final Datasheet
Rev. 1 (111.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (2)
Product Overview
Описание продукта
Automotive Power MOSFET. 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low RDS(on)
 
  • Minimizes conduction losses
  • High current capability
 
  • Provides robust load driving performance
  • AEC-Q101 Qualified
 
  • Suitable for use in Automotive systems
  • 100% Avalanche engergy tested
 
  • Safeguards against voltage overstress failure
Применения   End Products
  • Motor Drivers
  • Automotive Pump Drivers
 
  • Automotive Braking systems
  • Automotive Steering systems
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NVD5890NT4G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK., Power MOSFET 40 V, 100 A, Single N−Channel DPAK-3 369C 1 Tape and Reel 2500 $0.6399
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 13 to 16
Arrow   (Sat Jul 11 08:30:00 MST 2015) : 4700
Mouser   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: NVD5890N Final Datasheet
Rev. 1 (111.0kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (2)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK., Power MOSFET 40 V, 100 A, Single N−Channel   N-Channel   Single   40   20   3.5   123   107       3.7     74   16   40   4975   785   490   DPAK-3 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available