feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NVDD5894NL: Power MOSFET 40V, 64A, 10 mΩ, Dual N−Channel, DPAK−5L, Logic Level.

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 0 (119kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Описание продукта
Automotive Power MOSFET. 40V, 64A, 10 mΩ, Dual N−Channel, DPAK−5L, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Отличительные черты   Benefits
     
  • Low on resistance
 
  • Low conduction losses
  • AEC-Q101
 
  • Suitable for Automotive Applications
  • High current capability
 
  • Robust load performance
  • 100% avalanche energy rated
 
  • Safeguarded against over voltage stress
  • Dual common drain configuration
 
  • Saves space; useful for H-Brideg high side drivers
Применения   End Products
  • Motor drive
  • High side H-bridge switches
 
  • Automotive power train modules
  • Automotive chassis control modules
  • Automotive body control modules
Технические информацие
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NVDD5894NLT4G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 40V, 64A, 10 mΩ, Dual N−Channel, DPAK−5L, Logic Level., Power MOSFET 40 V, 10 mohm, 64 A, Dual N-Channel DPAK-5L DPAK-5 175AA 1 Tape and Reel 2500 $0.55
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 4 to 8
Avnet   (2015-07-09) : >1K
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 0 (119kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 40V, 64A, 10 mΩ, Dual N−Channel, DPAK−5L, Logic Level., Power MOSFET 40 V, 10 mohm, 64 A, Dual N-Channel DPAK-5L   N-Channel   Dual   40   20   2.5   64   75     14.5   10   21   41   11.3   13.7   2103   259   183   DPAK-5 
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 0 (119kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Case Outlines
175AA   
Datasheet: Power MOSFET
Rev. 0 (119kB)
»Показать химический состав
»No Product Change Notifications exist
Product Overview
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies