feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NVJD5121N: Power MOSFET 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level.

Overview
Specifications
Datasheet: NTJD5121N Dual N-Channel Power MOSFET with ESD Protection
Rev. 8 (69kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Отличительные черты   Benefits
     
  • Pb-Free
 
  • RoHS Compliance
  • AEC qualified
 
  • Automotive qualified
  • Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on)
   
  • Reduced Qg and Capacitance
   
  • Low Leakage Current
   
  • Low Profile, 2x2 mm
   
End Products
  • Infotainment systems. Radios. Navigation systems. Clusters
Технические информацие
Модели - Симуляция (2) Типы корпусов (1)
Спецификацие (1)  
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NVJD5121NT1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level. SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.045
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Avnet   (2015-07-09) : >100K
Datasheet: NTJD5121N Dual N-Channel Power MOSFET with ESD Protection
Rev. 8 (69kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 60V 295mA 1.6 Ohm Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level.   N-Channel   Dual   60   20   2.5   0.295   0.25     2500   1600   0.9     0.28     26   4.4   2.5   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NDBA180N10B  NDPL180N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 180 A

  • Ultra low on-resistance, as low as 2.8 mΩ
  • Low gate charge of 95 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available

NTP8G202N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 290 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies