feedback
Rate this webpage

Need
Support?


NVJS4151P: Power MOSFET -20V, -4.2A, 60 mOhm, P-Channel , Logic Level.

Overview
Specifications
Packages
Datasheet: Trench Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Single P-Channel
Rev. 1 (115kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview
Описание продукта
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. -20V -4.2A 60 mOhm Single P-Channel SC−88, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Отличительные черты
 
  • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
  • SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit Board Utilization, same as SC-70-6
  • Gate Diodes for ESD Protetion
  • Pb-Free Package is Available
  • AEC qualified
Применения   End Products
  • High Side Load Switch
  • Low power switches
 
  • Infotainment systems. Radios. Navigation systems. Clusters
Технические информацие
Статьи по применению (1) Спецификацие (1)
Модели - Симуляция (4) Типы корпусов (1)
Наличие и образцы
Продукт
Состояние
Compliance
Описание
Корпус
MSL*
Контейнер
Бюджетная цена единицы
Тип
Размеры
Тип
Кол.
NVJS4151PT1G Active
AEC Qualified
PPAP Capable
Pb-free
Halide free
Power MOSFET -20V, -4.2A, 60 mOhm, P-Channel , Logic Level. SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 419B-02 1 Tape and Reel 3000 $0.085
* Уровень чувствительности компонента к влажности
Market Leadtime (weeks) : 8 to 12
Datasheet: Trench Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Single P-Channel
Rev. 1 (115kB)
»Показать химический состав
»Уведомление об обновлениях схем (1)
Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 AEC Qualified 
 PPAP Capable 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET -20V, -4.2A, 60 mOhm, P-Channel , Logic Level.   P-Channel   Single   20   12   1.2   4.2   1   70   47     10     2.8   0.23   850   160   110   SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 
Ранее просмотренные схемы
Очистить список

Новые микросхемы
 

NTP8G206N  Power GaN Cascode Transistor, 600 V, 150 mΩ Single N-Channel

  • Fast switching
  • Extremely low Qrr
  • High efficiencies

NDBA100N10B  NDPL100N10B  Power N-Channel MOSFETs, 100 V, 100 A

  • Low on-resistance as low as 6.9 mΩ
  • Low gate charge of 35 nC, and high speed switching
  • D2PAK and TO-220 available